ATmega32U6/AT90USB64/128
表5-2 。
EEPM1
0
0
1
1
EEPROM模式位
EEPM0
0
1
0
1
程序设计
时间
3.4毫秒
1.8毫秒
1.8毫秒
–
手术
擦除和写入一次操作（原子操作）
仅删除
只写
留作将来使用
位3 - EERIE ： EEPROM就绪中断使能
清零EERIE将使能EEPROM准备好中断若SREG的I置位。写作
EERIE则禁止中断。 EEPROM就绪中断产生一个恒定的间
当中断EEPE被清除。
位2 - EEMPE ： EEPROM主机编程使能
该EEMPE位决定是否设置EEPE一个使要被写入的EEPROM中。
当EEMPE设置，在四个时钟周期内设置EEPE将把数据写入EEPROM的
指定地址;若EEMPE为零，设置EEPE将没有任何效果。当EEMPE已
写入一个由软件，硬件清除该位后4个时钟周期为零。见
EEPE位的描述EEPROM写过程。
位1 - EEPE ： EEPROM编程使能
EEPROM写使能信号EEPE是写选通到EEPROM中。当地址
和数据的设置是否正确，对EEPE位必须写入到一个写值到
EEPROM 。在EEMPE位必须写入到一个逻辑1写入EEPE ，其他 - 之前
明智的没有EEPROM写操作为止。下面的步骤应该写时必须遵守
EEPROM中（步骤3和4中的顺序不是必需的） ：
1.等待EEPE变为零。
2.等待SELFPRGEN在SPMCSR变为零。
3.将新的EEPROM地址写入EEAR （可选）。
4.将新的EEPROM数据写入EEDR （可选）。
5.写，而写一个零EECR到EEPE逻辑一到EEMPE位。
6.在四个时钟周期内设置EEMPE之后，写了一个合乎逻辑的一个EEPE 。
该EEPROM不能在CPU写Flash存储器的过程中进行编程。软件
必须检查Flash编程启动一个新的EEPROM进行写操作之前完成。
如果该软件包含引导程序，允许CPU编程步骤2只相关
闪光灯。如果Flash从不正由CPU更新，步骤2可以省略。看
“记忆亲
366页编程“
有关引导程序的详细信息。
注意事项：
步骤5和6之间的中断将导致写操作失败，因为
EEPROM写使能操作将超时。如果中断服务程序访问的EEPROM是
打断了另一个EEPROM操作， EEAR或EEDR寄存器可能被修改，引起
EEPROM操作失败。建议具有全局中断标志位清零
在所有的步骤，以避免这些问题。
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7593H–AVR–11/08
