ATmega32U6/AT90USB64/128
图5-3 。
片上数据SRAM访问周期
T1
T2
T3
CLK
中央处理器
地址
数据
WR
数据
RD
计算地址
地址有效
存储器访问指令
下一条指令
5.3
EEPROM数据存储器
该ATmega32U6 / AT90USB64 / 128包含1K / 2K / 4K字节的数据EEPROM存储器。这是
作为一个独立的数据空间，其中，可以按字节读写。该
EEPROM至少100,000次写/擦除周期的耐力。之间的访问
EEPROM中，并且CPU在下面被描述，指定EEPROM地址寄存
TER值， EEPROM数据寄存器和EEPROM控制寄存器。
对于SPI ， JTAG和并行数据下载到EEPROM中的详细描述，请参见
380页， 385页，
和
369页
分别。
5.3.1
EEPROM读/写访问
EEPROM的访问寄存器位于I / O空间。
EEPROM的写访问时间见
表5-3 。
自定时功能，但是，
可以让用户软件监测何时开始下一个字节可以被写入。如果用户代码包含指令
系统蒸发散的写EEPROM ，有些必须采取预防措施。在严格的滤波电源
耗材，V
CC
有可能上升或下降缓慢上电/下。这使得该设备对于一些
的时间周期，以在电压低于规定的最小为所用的时钟频率运行。
请参阅第28页上的“防止EEPROM腐败” 。
对于如何避免这些问题的详细信息
的情况。
为了防止无意识的EEPROM写操作，具体写的程序必须遵循。
指的是EEPROM控制寄存器有关细节的描述。
当EEPROM被读取后， CPU停止工作4个周期前的下一条指令
执行。当EEPROM写入时，CPU先下一停止两个时钟周期
指令被执行。
读
写
23
7593H–AVR–11/08
