MTB30P06V
首选设备
功率MOSFET
30安培， 60伏
P-通道D
2
PAK
这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。专为低电压，高
电源供应器，转换器和功率高速开关应用
电机控制，这些设备特别适合好桥梁
电路中的二极管速度和换向安全工作区域
对突发电压的关键，并提供额外的安全边际
瞬变。
特点
http://onsemi.com
30安培， 60伏
R
DS （ ON）
= 80毫瓦
P- CHANNEL
D
较高的雪崩能量
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定高温
无铅包可用
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
≤
10毫秒）
漏电流 - 连续@ 25°C
- 连续@ 100℃
- 单脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ 25℃
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25°C
（注1 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 10伏，峰值
I
L
= 30 APK ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
W)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境（注1 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
±
15
±
25
30
19
105
125
0.83
3.0
-55
175
450
单位
VDC
VDC
1
G
S
D
2
PAK
CASE 418B
方式2
标记图&引脚分配
VDC
VPK
ADC
APK
W
W / ℃，
1
门
A
Y
WW
G
4漏
MTB
30P06VG
AYWW
3
2
来源
漏
T
J
, T
英镑
E
AS
°C
mJ
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
1.2
62.5
50
260
°C
设备
MTB30P06V
MTB30P06VG
MTB30P06VT4
MTB30P06VT4G
包
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.当表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 1版
出版订单号：
MTB30P06V/D
