3.6V ， 1W RF功率晶体管

为900MHz的应用

应用信息

最佳的端口阻抗

提交给源和负载阻抗

MAX2601 / MAX2602具有在它的增益有直接的影响，

输出功率和线性度。适当的源和负载

终端阻抗（Z

S

和Z

L

）提交

功率晶体管的基极和集电极可以确保最优化

性能。

对于功率晶体管，应用简单的共轭

晶体管的输入和输出阻抗计算

由小信号S参数将产生较少低于光学

妈妈的器件性能。

对于在V最大效率

BB

= 0.75V和V

CC

=

3.6V，最佳功率晶体管的源和负载

阻抗（如在图3中所定义的）是：

在836MHz位：Z

S

= 5.5 + j2.0

Z

L

= 6.5 + j1.5

在433位：Z

S

= 9.5 - j2.5

Z

L

= 8.5 - j1.5

Z

S

和Z

L

反映应预阻抗

sented晶体管的基极和集电极。该封装

年龄寄生通过电感为主（如图所示

在图3），并需要加以说明calcu-时为

lating

S

和Z

L

.

所示的内部债券和封装电感

在图3中，应包括在最终的一部分

应用匹配网络，这取决于确切的

布局拓扑结构。

弹头布局技术

最重要的连接，使向所述

MAX2601 / MAX2602是背面。它应该连接

直接与印刷电路板的地平面，如果它是在顶

侧，或者通过大量的镀通孔，如果

地面被埋葬。为了获得最大的收益，这CON-

nection应该有很小的自感。因为它

也是散热的散热通道，就必须

具有低的热阻抗，和接地平面

要大。

MAX2601/MAX2602

4

3

2

1

2.8nH

MAX2601

MAX2602

2.8nH

2.8nH

Z

S

Z

L

2.8nH

5

6

7

8

图3.最佳端口阻抗

包装信息

如需最近的封装外形信息和焊盘布局，请

to

www.maxim-ic.com/packages 。

套餐类型

8 SOIC

封装代码

S8E-12

文档编号

21-0041

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