DRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
RAS \\
CAS \\
W\
OE \\
Timeing与控制
SMJ44400
A0
A1
COLUMN
地址
缓冲器
A9
2
8
列解码
感测放大器
128K阵列
128K阵列
R
128K阵列
128K阵列
O
W
D
E
C
O
D
E
R
128K阵列
10
128K阵列
16
16
16
ROW
地址
缓冲器
16
I / O
缓冲器
4 16
选择
数据
In
注册。
4
数据
OUT
注册。
4
10
2
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss ...............- 1V至7.0V +电压
任何引脚相对于Vss .........- 1V至7.0V +电压范围
短路输出电流（每个I / O） ... ....................... 50毫安
功耗................................................ ................. 1W
存储温度范围..........................- 65 ° C至+ 150°C
工作温度范围......................- 55 ° C至+ 125°C
*强调大于"Absolute下所列
最大Ratings"可能会导致永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能的操作
化器件在这些或以上的任何其他条件
在本规范的操作部的指示
化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，
周期时间，装载，环境温度和空气流。
推荐工作条件
符号
描述
民
4.5
2.4
-1
-55
125
1
喃
5
最大
5.5
6.5
0.8
单位
V
V
V
°C
°C
V
CC
电源电压
V
IH
高电平输入电压
V
IL
低电平输入电压
T
A
T
C
最小工作温度
最大工作温度
1.代数约定，其中，更负（少正）限制被指定为最小，仅用于逻辑电压电平。
SMJ44400
2.0版本10/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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