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IRFS9N60A ， SiHFS9N60A
Vishay Siliconix公司
2400
2000
C，电容（pF ）
国际空间站
1600
I
SD
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
100
10
OSS
1200
T
J
= 150
°
C
800
1
T
J
= 25
°
C
400
RSS
0
1
10
100
1000
A
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.5
0.7
1.0
1.2
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
I
D
= 9.2A
V
DS
= 480V
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
1000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
16
12
I
D
，漏电流（ A）
100
10us
10
100us
1ms
1
10ms
8
4
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
50
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
1000
10000
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 8 - 最高安全工作区
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4
文档编号： 91287
S-挂起-REV 。 A， 22 -JUL- 08
