IRFR430A ， IRFU430A ， SiHFR430A ， SiHFU430A
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
24
6.5
13
单身
D
特点
500
1.7
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
应用
开关模式电源（SMPS ）
·不间断电源
S
N沟道
MOSFET
高速电源开关
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR430APbF
SiHFR430A-E3
IRFR430A
SiHFR430A
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR430ATRPbF
a
SiHFR430AT-E3
a
IRFR430ATR
a
SiHFR430AT
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR430ATRLPbF
a
SiHFR430ATL-E3
a
IRFR430ATRL
a
SiHFR430ATL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR430ATRRPbF
a
SiHFR430ATR-E3
a
IRFR430ATRR
a
SiHFR430ATR
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU430APbF
SiHFU430A-E3
IRFU430A
SiHFU430A
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
500
± 30
5.0
3.2
20
0.91
130
5.0
11
110
3.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩
能源
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
a.
b.
c.
d.
重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
起始物为
J
= 25 ° C，L = 11 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.0 A（见图12 ） 。
I
SD
≤
5.0 A， di / dt的
≤
320 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91276
S- 81366 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
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