IRF840AS ， IRF840AL ， SiHF840AS ， SiHF840AL
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
38
9.0
18
单身
D
特点
500
0.85
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
全
特征
电容
和
雪崩电压和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK
(TO-263)
应用
开关模式电源（SMPS ）
·不间断电源
高速电源开关
G
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
典型SMPS拓扑
双管正激
半桥
=全桥
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF840ASPbF
SiHF840AS-E3
IRF840AS
SiHF840AS
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF840ASTRLPbF
a
SiHF840ASTL-E3
a
IRF840ASTRL
a
SiHF840ASTL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF840ASTRRPbF
a
SiHF840ASTR-E3
a
IRF840ASTRR
a
SiHF840ASTR
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF840ALPbF
SiHF840AL-E3
IRF840AL
SiHF840AL
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
500
± 30
8.0
5.1
32
1.0
510
8.0
13
125
3.1
5.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
重复性雪崩
当前
a
能源
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
焊接温度
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 16 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 8.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
8.0 A ， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用IRF840A / SiH840A数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91066
S- 81412 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
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