SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C1008
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
-15
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度（OE \\ > V
IH
)
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
15
12
12
0
0
12
8
0
5
7
0
7
20
15
15
0
0
15
10
0
5
9
3
3
7
7
0
8
25
20
20
0
0
20
15
0
5
10
1
-20
民
20
15
15
3
3
8
7
0
20
20
3
3
最大
民
25
-25
最大
单位
ns
25
25
ns
ns
ns
ns
10
10
ns
ns
ns
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
15
最大
注意：
1. t
LZCE
, t
LZWE
, t
HZCE
, t
LZOE
和叔
HZOE
是模拟值。
AS5C1008
3.6修订版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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