其中一个命令返回，通知系统中的嵌入式闪存描述符的定义
关于闪存的组织，从而使软件通用的。
9.1.3.4
闪存速度
用户需要设置取决于所使用的频率的等待状态的数目。
有关详细信息，请参阅AC特性的子节中的产品电气特性中
istics部分。
9.1.3.5
锁定区域
几个锁定位用来保护写入和擦除操作的锁定区域。锁区
由若干个连续的页面，并且每个锁区都有相关的锁位。
表9-1 。
锁定位的数量
锁定位的数量
16
8
4
锁定区域的大小
16千字节（ 64页）
16千字节（ 64页）
16千字节（ 64页）
产品
ATSAM3S4
ATSAM3S2
ATSAM3S1
如果出现锁定区域的擦除或编程命令时，命令被中止， EEFC
触发中断。
锁定位可以通过EEFC用户界面软件编程。命令“设置
锁定位“启用保护。命令“清除锁定位”解锁锁定区域。
将ERASE拉高将清除锁定位，从而解锁整个Flash 。
9.1.3.6
安全位功能
SAM3S能够有一个安全位，基于特定的通用NVM位（ GPNVM位
0）。当启用了安全性，任何访问闪存， SRAM ，内核寄存器和内部
外设无论是通过ICE接口或快速Flash编程接口，是
禁止的。这保证了在闪存编程的代码的保密性。
这个安全位只能启用，通过命令“设置通用NVM位0 ”的
该EEFC用户界面。禁止安全位只能通过断言来实现
ERASE引脚为1，并且之后进行一个完整的Flash擦除。当安全位被停用，
所有访问到Flash ， SRAM ，内核寄存器，内部外设被允许的。
值得注意的是， ERASE引脚的断言应始终小于200毫秒长是很重要的。
由于ERASE引脚集成了一个永久的下拉，就可以在正常悬空
操作。但是，它是更安全的将其直接连接到GND为最终的应用程序。
9.1.3.7
校准位
NVM位用于标定掉电检测器和电压调节器。这些位
工厂配置的，并且不能由用户改变。 ERASE引脚上的校准 - 无影响
振器位。
独特的Identi网络连接器
每个器件集成了自己的64位唯一标识符。这些位配置的工厂和
不能由用户改变。 ERASE引脚上的唯一标识没有影响。
9.1.3.8
32
SAM3S摘要
6500AS–ATARM–11-Dec-09
