SAM3S摘要
9.记忆
9.1
9.1.1
嵌入式存储器
内部SRAM
该ATSAM3S4产品（ 256 KB的内部Flash版本）嵌入共有48 KB的高
高速SRAM 。
该ATSAM3S2产品（ 128 KB的内部Flash版本）嵌入共32字节高
高速SRAM 。
该ATSAM3S1产品（ 64 KB的内部Flash版本）嵌入共有16 KB的高
高速SRAM 。
该SRAM访问过系统的Cortex -M3的总线地址为0x2000 0000 。
该SRAM是位带区。该位带别名区是从0x2200 0000映射到
0x23FF FFFF 。
9.1.2
内部ROM
该SAM3S产品嵌入了一个内部ROM ，其中包含SAM启动助手（ SAM-
BA ） ，在应用程序编程（IAP ）和快速Flash编程接口（ FFPI ） 。
在任何时候，ROM被映射到地址0x0080 0000 。
9.1.3
9.1.3.1
嵌入式闪存
闪存总览
在ATSAM3S4 （ 256字节的内部Flash版本）的Flash组织在一家银行
1024页的256字节（单平面）。
在ATSAM3S2 （ 128字节的内部Flash版本）的Flash组织512一家银行
256字节的页（单平面）。
在ATSAM3S1 （ 64字节的内部Flash版本）的Flash组织在256一家银行
256字节的页（单平面）。
Flash包含了一个128字节的写缓冲区，通过32位接口访问。
9.1.3.2
闪存电源
闪存是由VDDCORE供电。
增强的内置Flash控制器
增强型内置Flash控制器（ EEFC ）管理访问由中，主机执行
该系统的字符。这使得能够读取闪存和写入的写入缓冲器。它还包含一个
用户接口，映射到APB 。
增强型内置Flash控制器可确保Flash模块与32接口
位内部总线。它的128位宽度的存储器接口提高性能。
用户可以高性能或更低的电流消耗，通过选择之间进行选择
或者128位或64位的访问。它还管理着编程，擦除，锁定和解锁
使用完整的命令集的闪存序列。
9.1.3.3
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6500AS–ATARM–11-Dec-09
