SS1P3L & SS1P4L
威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(2)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）从结点到环境和结热阻铅安装在PCB 5.0 ×5.0 mm铜垫的地方。
θJL
测量
在阴极频带的终端。
θJC
的测量是在所述主体的顶部中心
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJC
SS1P3L
105
15
20
SS1P4L
单位
° C / W
订购信息
首选的P / N
SS1P3L-E3/84A
SS1P3L-E3/85A
单位重量（g ）
0.024
0.024
首选包装代码
84A
85A
基地数量
3000
10000
配送方式
7"口径塑料带卷&
13"直径的塑料胶带&卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有规定编）
2.0
100
正向平均整流电流（ A）
1.5
正向电流（A ）
10
T
J
= 150 °C
1.0
T
L
测
在阴极
BAND
终奌站
0.5
1
T
J
= 25 °C
SS1P3L
SS1P4L
0.1
0.1 0.2 0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
铅温度（ ℃）
正向
电压
(V)
图1.最大正向电流降额曲线
图3.典型正向特性
50
10000
瞬时反向电流（ μA ）
峰值正向浪涌电流（ A）
40
T
J
= 150 °C
1000
30
SS1P3L
100
SS1P4L
20
10
T
J
= 25 °C
10
0
1
10
100
1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
数
环，在50赫兹的
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
图4.典型的反向漏电特性
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2
文档编号88915
07-Feb-06
