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SEMiX653GAL176HDs
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 1000 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1700 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1700
619
438
450
900
-20 ... 20
10
-55 ... 150
545
365
450
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
900
2900
-40 ... 150
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
545
365
450
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
900
2900
-40 ... 150
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的3S
沟道IGBT模块
SEMiX653GAL176HDs
T
j
= 150 °C
I
fnom的
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
续流二极管
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
T
j
= 150 °C
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
I
C
= 450 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
5.2
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
39.6
1.65
1.31
4200
1.67
2
2.45
1
0.9
2.2
3.4
5.8
0.1
2.45
2.9
1.2
1.1
2.8
4.0
6.4
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
=V
CE
, I
C
= 18毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
GAL
由赛米控
启12 - 2009年12月16日
1
