SSM2030GM
N和P沟道增强型功率MOSFET
简单的驱动要求
低栅极电荷
快速开关特性
无铅;符合RoHS标准。
D2
D1
D2
D1
D1
D1
G2
G2
S2
S2
G1
S1
G1
S1
D2
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
D1
20V
30m
6A
-20V
50m
-5A
D2
SO-8
描述
从硅标准高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，坚固耐用
装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该SSM2030GM是在SO- 8封装，广泛首选
商业和工业表面贴装应用。该装置是
适用于低电压应用需要补充氮，磷的MOSFET。
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
20
±8
+6
+4.8
+20
2.0
0.016
-55到150
-55到150
等级
N沟道
P沟道
-20
±8
-5
-4
-20
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
单位
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
马克斯。
价值
62.5
单位
° C / W
2005年2月10日Rev.2.01
www.SiliconStandard.com
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