AGR21125E
125 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
典型性能特性
（续）
15.00
14.50
功率增益（ dB）的
S
14.00
13.50
13.00
12.50
12.00
11.50
11.00
1
I
DQ
= 1200毫安
I
DQ
=千毫安
I
DQ
= 800毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2135 MHz的
F2 = 2145 MHz的
TWO- TONE
测量
10 MHz的TONE
间距
I
DQ
= 1600毫安
I
DQ
= 1400毫安
10
100
1000
输出功率（ W） PEP
图4.双音功率增益与输出功率和I
DQ
-20.00
-25.00
IMD3 ，三阶（ DBC）
s
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
-55.00
-60.00
-65.00
-70.00
1
10
I
DQ
= 1200毫安
I
DQ
= 1400毫安
I
DQ
= 800毫安
I
DQ
=千毫安
I
DQ
= 1600毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2135 MHz的
F2 = 2145 MHz的
TWO- TONE
测量
10 MHz的TONE
间距
100
1000
输出功率（ W） PEP
图5. IMD3与输出功率和I
DQ
