AGR 21060 ê
60 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
300
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 100 A)
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
符号
开关特性
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
G
FS
米
65
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
4.0
—
3.8
0.08
最大
—
1.8
5.5
100
—
4.8
—
—
单位
VDC
μAdc
μAdc
S
VDC
VDC
VDC
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 180 A)
门静态电压（V
DS
= 28 V，I
D
= 500 mA）的
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 0.45 A)
表5. RF特性
参数
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
符号
动态特性
C
RSS
民
—
典型值
1.3
最大
—
UN I T
pF
反向传输电容
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
（这部分内部匹配的输入和输出）。
共源放大器功率增益*
（以
杰尔系统提供的测试治具）
功能测试（在
提供的测试治具）
漏极效率*
G
PS
η
IM3
ACPR
P
1dB
IRL
ψ
—
—
—
—
—
输入回波损耗*
输出功率， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 60 W（ CW ），F
C
= 2140.0兆赫）
相邻通道功率比*
（ACPR测量的3.84 MHz的@ F1在BW - 5兆赫
和f2 + 5兆赫）
三阶互调失真*
（ IMD3测量了3.84 MHz带宽@ F1 - 10 MHz的
和f2 + 10兆赫）
—
14.5
–34
–37
60
–12
26
—
—
—
—
dB
dBc的
dBc的
W
dB
%
—
—
输出失配应力
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 60 W（ CW ） ，我
DQ
= 500毫安，女
C
= 2140.0兆赫
驻波比= 10 ：1; [所有相位角] ）
没有退化的输出功率。
* 3GPP W-CDMA中，典型的P / 8.5分贝0.01％的CCDF A比例中，f1 = 2135.0兆赫，和f2 = 2145兆赫。
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 500毫安，而P
OUT
= 13.5 W魅力。
