P沟道增强型MOSFET
ST7407
-3.4A
电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
最小典型最大单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
DS
= VGS ，我
D
=-250uA
V
DS
=0V,V
GS
=
±
12V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
T
J
=55
℃
V
DS
≦
-5V,V
GS
=-4.5V
V
DS
≦
-5V,V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V,I
D
=-3.4A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-2.4A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-1.8A
V
DS
=-5V,I
D
=-2.8V
I
S
=-1.6A,V
GS
=0V
-20
-0.35
V
-0.8
±
100
-1
-5.0
uA
A
0.090 0.100
0.115 0.125
0.150 0.170
V
nA
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
-6
-3
Ω
S
V
6.0
-0.8 -1.2
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
V
DS
=-6V
V
GS
=-4.5V
I
D
-2.8A
V
DS
=-6.0V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DD
=-6V
R
L
=6
Ω
I
D
=-1.0A
V
根
=-4.5V
R
G
=6
Ω
4.8
1.0
1.0
485
85
40
10
13
18
15
8.0
nC
pF
16
23
25
20
nS
t
D（关闭）
tf
3
120宾利广场，加州山景城94040 USA
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ST7407 2006 V1
