双N沟道增强型MOSFET
STN8205D
5.0A
描述
STN8205D是双N沟道增强型功率场效应晶体管
这是使用高密度生产， DMOS沟道技术。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路，其中，高侧开关是必需的。
引脚配置
TSOP-6
G1
D
G2
特征
20V / 4.0A ，R
DS （ ON）
= 30米欧姆@ V
GS
=4.5V
20V / 3.4A ，R
DS （ ON）
=42m-ohm@V
GS
=2.5V
超高密度电池设计极
低R
DS （ ON）
呈低导通电阻和最大
DC电流能力
TSOP - 6封装设计
STN8205
SYA
S1
D
S2
S：分包商
Y：年
答：周码
订购信息
产品型号
STN8205DST6RG
包
TSOP-6
最热
SYA
※
本周代码代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
ST8205DST6RG
ST6 ： TSOP - 6 ; R：带卷轴; G：铅 - 免费
STANSON科技
120宾利广场，加州山景城94040 USA
http://www.stansontech.com
STN8205D 2007 V1
