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SUD50N03-09P
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
100
0.05
导通电阻与漏电流
克FS
跨导（S ）
T
C
=
55_C
25_C
125_C
60
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
80
0.04
0.03
40
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
20
0.01
0
0
10
20
30
40
50
0.00
0
20
40
60
80
100
I
D
漏电流（ A）
3000
2500
C
电容（pF）
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
C
RSS
I
D
漏电流（ A）
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 30 A
电容
C
国际空间站
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
栅极电荷
8
6
4
2
0
0
6
12
18
24
30
Q
g
总栅极电荷（ NC）
2.0
导通电阻与结温
100
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I S
源电流（ A）
源极 - 漏极二极管正向电压
1.6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.2
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
0.8
0.4
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 71856
S- 40573 -REV 。 E， 29 -MAR -04
www.vishay.com
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