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SUR50N025-05P
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道25 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
25
特点
I
D
(A)
A，E
89
80
r
DS （ ON）
(W)
0.0052 @ V
GS
= 10 V
0.0076 @ V
GS
= 4.5 V
Q
g
（典型值）
30 NC
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
D
符合RoHS
应用
D
DC / DC转换器，低侧
台式电脑
笔记本电脑
TO-252
倒车线DPAK
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订货信息：
SUR50N025-05P -E3 （铅（Pb ） - 免费）
SUR50N025-05P - T4 -E3 （铅（Pb ） - 免费，备用磁带方向）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25_C
连续漏电流（T
J
= 175_C)
T
C
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
漏电流脉冲
连续源漏电流二极管
源极 - 漏极
雪崩电流脉冲
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25_C
最大功率耗散
T
C
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
25
"20
89
A，E
75
A，E
36
B，C
30
B，C
100
55
7.7
B，C
45
101
83
a
58
a
11.5
B，C
8.0
B，C
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到外壳
t
p
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
10
1.5
最大
13
1.8
单位
° C / W
注意事项：
一。基于T
C
= 25_C.
B 。表面装在1 “×1”的FR4基板。
。 T = 10秒
。在稳态条件下最大值为90
° C / W 。
。基于最大结温计算。套餐限制电流为50 A.
文档编号： 73379
S- 50933 -REV 。 A， 09日， 05
www.vishay.com
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