AT45DB081D
23.读操作
下面的框图和波形说明各种读取序列可用。
闪存阵列
页面（二百六十四分之二百五十六字节）
主内存
PAGE TO
缓冲1
主内存
PAGE TO
缓冲区2
缓冲器1（ 264分之256字节）
缓冲1
读
缓冲液2 （ 264分之256字节）
主内存
页面读取
缓冲区2
读
I / O接口
SO
23.1
主存储器页读
CS
地址二进制页面大小
A15-A8
A19-A16
A7-A0
SI （输入）
CMD
PA11-7
PA6-0 ， BA8
BA7-0
X
X
4虚拟字节的串行
SO（输出）
n
n+1
23.2
主内存页，以缓冲传输（数据从Flash页读入缓冲区）
开始读取页面数据到缓冲区
CS
二进制文件页面大小
A19 - A8 + 8无关位
SI （输入）
CMD
PA11-7
PA6-0 ，X
XXXX XXXX
SO（输出）
41
3596L–DFLASH–04/09
