AT45DB081D
22.写操作
下面的框图和波形说明各种写入序列可用。
闪存阵列
页面（二百六十四分之二百五十六字节）
BUFFER 1 TO
主内存
页编程
BUFFER 2 TO
主内存
页编程
缓冲器1（ 264分之256字节）
缓冲1
写
缓冲液2 （ 264分之256字节）
缓冲区2
写
I / O接口
SI
22.1
缓冲区写
完成写入
选择的缓冲液
CS
BINARY PAGE
SIZE
16 DO NOT CARE + BFA7 ， BFA0
SI
（输入）
CMD
X
X ... X， BFA8
BFA7-0
n
n+1
最后字节
22.2
缓冲区到主存储器页编程（数据从缓冲区烧写到Flash首页）
开始自定时
擦除/编程操作
CS
BINARY PAGE
SIZE
A19-A8 +
8
无关位
SI
（输入）
每个转换
代表
8位
CMD
PA10-7
PA6 ，X
XXXX XX
N - 1号
字节
读
N + 1 = 2。
字节
读
39
3596I–DFLASH–4/08
