EDE1104ACSE ， EDE1108ACSE ， EDE1116ACSE
写数据面膜
一个写数据屏蔽（ DM ）引脚为每8位数据（ DQ）将在DDR2 SDRAM的支持，符合了
实现对DDR- SDRAM的我。其对写操作的数据位相同的定时，并且，虽然使用的
一个单向的方式，在内部装入相同的数据位，以确保匹配的系统定时。 DM不使用
在读周期。
T1
的DQ
/ DQS
DQ
T2
T3
T4
T5
Tn
in
in
in
in
in
in
in
in
in
DM
写屏蔽延迟= 0
数据屏蔽时间
[ tDQSS （分钟） ]
/ CK
CK
tWR的
命令
WRIT
WL
NOP
tDQSS
DQS ， / DQS
DQ
DM
WL
in0
IN2 IN3
[ tDQSS （最大） ]
tDQSS
DQS ， / DQS
DQ
DM
in0
IN2 IN3
数据屏蔽功能， WL = 3 ， AL = 0显示
数据表E0975E50 （ Ver.5.0 ）
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