EDE1104ACSE ， EDE1108ACSE ， EDE1116ACSE
AC特性（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 1.8V
±
0.1V ， VSS ， VSSQ = 0V ） DDR2-800 ， 667 ]
新单位TCK （ AVG）和NCK ，在DDR2-800和DDR2-667介绍
下操作的输入时钟的实际TCK （平均） ： TCK （平均） 。
NCK ：在输入时钟的一个时钟周期，计数实际的时钟边沿。
-8E
速度斌
参数
活跃的读或写命令延迟
预充电命令期
符号
tRCD的
激进党
DDR2-800 （ 5-5-5 ）
分钟。
12.5
12.5
57.5
400
350
马克斯。
+400
+350
0.52
0.52
-6E
DDR2-667 （ 5-5-5 ）
分钟。
15
15
60
450
400
0.48
0.48
马克斯。
+450
+400
0.52
0.52
单位
ns
ns
ns
ps
ps
10
10
笔记
积极主动/自动刷新命令时的tRC
从CK DQ输出访问时间， / CK
从CK DQS输出访问时间， / CK
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
时钟周期时间
（CL = 6）
（CL = 5）
（CL = 4）
（CL = 3）的
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入建立时间
控制和地址输入脉冲宽度
每个输入
TAC
tDQSCK
总胆固醇（平均） 0.48
TCL （ AVG）
THP
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
0.48
TCK （ AVG） 13
TCK （ AVG） 13
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
10
10
10
6, 13
13
13
13
13
5
4
分钟。 （TCL （绝对压力） ，
总胆固醇（ABS ） ）
2500
2500
3750
5000
8000
8000
8000
8000
TAC最大。
TAC最大。
TAC最大。
200
300
+0.25
0.6
1.1
0.6
70000
分（TCL （绝对压力） ，
总胆固醇（ABS ） ）
3000
3000
3750
5000
175
100
0.6
0.35
TAC分钟。
2
×
TAC分钟。
THP - TQHS
0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
275
200
0.9
0.4
45
8000
8000
8000
8000
TDH （基峰） 125
TDS （基峰） 50
tIPW
0.6
0.35
DQ和DM输入脉冲宽度为每个输入tDIPW
数据从CK高阻抗时， / CK太赫兹
DQS ， / DQS低阻抗时间
CK ， / CK
从CK DQ低阻抗时， / CK
TAC最大。 PS
TAC最大。 PS
TAC最大。 PS
240
340
+0.25
0.6
1.1
0.6
70000
ps
ps
ps
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
NCK
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
ps
ps
TLZ （ DQS ） TAC分钟。
TLZ （DQ）
2
×
TAC分钟。
THP - TQHS
0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
DQS -DQ歪斜的DQS和DQ相关
TDQSQ
信号的
DQ举行倾斜因子
从DQS DQ / DQS输出保持时间
TQHS
tQH
7
8
DQS闭锁过渡上升到关联
tDQSS
时钟边沿
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
DQS下降沿到CK建立时间
DQS从CK下降沿保持时间
模式寄存器设置命令周期时间
写后同步
写序言
地址和控制输入保持时间
地址和控制输入建立时间
阅读序言
阅读后同步
至预充电命令
tDQSH
tDQSL
TDSS
tDSH
超过tMRD
tWPST
tWPRE
TIH （基峰） 250
TIS （基地） 175
tRPRE
tRPST
tRAS的
0.9
0.4
45
5
4
TCK （ AVG） 11
TCK （ AVG） 12
ns
数据表E0975E50 （ Ver.5.0 ）
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