EDD1232ACBH
-5B
参数
模式寄存器设置命令周期时间
主动到预充电命令期
主动对主动/自动刷新命令期
自动刷新主动/自动刷新命令
期
激活到读延迟
积极撰写延迟
预充电到激活命令时期
主动到自动预充电延迟
主动对主动命令时期
写恢复时间
自动预充电写恢复和预充电
时间
内部写读命令延迟
平均周期刷新间隔
符号
超过tMRD
tRAS的
TRC
tRFC
tRCDRD
tRCDWR
激进党
陷阱
TRRD
tWR的
tDAL
Twtr
tREFI
分钟。
2
40
55
60
15
10
15
tRCDRD分钟。
10
15
RU （ tWR的/ TCK ） +
RU （TRP / TCK ）
2
—
马克斯。
—
120000
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.8
单位
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
s
笔记
注：1。在所有交流测量，我们假设在接下来的页面中所示的试验条件。对于时序参数
定义，请参见“时序波形”部分。
2.这个参数定义从CK和/ CK的交叉点上的信号转换延迟。信号
过渡是指当信号电平渡VTT发生。
3.定时基准电平是VTT 。
4.输出有效窗口被定义为两个连续的过渡数据的列或DQS的期间
（读出）的信号。信号转换是指当信号电平渡VTT发生。
5.太赫兹被定义为从低 - Z DOUT迁移延迟到高阻在读突发操作结束。该
定时参考CK和/ CK的交叉点。此参数没有提到具体的DOUT电压
水平，但指定当设备停止输出驱动。
6. TLZ被定义为从高Z DOUT过渡延迟至低价-Z的在读操作的开始。这
参数未提及具体的DOUT的电压电平，但指定设备输出开始时
驾驶。
7.输入有效窗口被定义为间的数据输入或DQS的两个连续的过渡期
（写）信号。信号转换是指发生信号电平渡VREF时。
8.定时基准电平为VREF 。
9.从低到Z到高阻的过渡被定义时，该设备的输出停止驱动发生。具体
没有给定的参考电压来判断这一过渡。
10. TCK （最大值）是由DLL的锁定范围来确定。超出这个锁定范围时，DLL操作不
放心。
11. TCK TCK = （分钟）这些参数进行测量时。这些，否则，绝对最低值
值是TCK的10％。
12. VDD被假定为2.5V
0.125V/+0.2V.
每个周期可望降低电源电压VDD的变化
比0.4V / 400周期。
数据表E1202E20 （2.0 ）
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