EDD1232ACBH
自刷新
自刷新命令可以用来保持在DDR SDRAM的数据，即使该系统的其余部分是有源
下来。当在自刷新模式时，在DDR SDRAM中保留无外部时钟的数据。自刷新
命令启动一样，除了CKE自动刷新命令被禁用（低） 。该DLL被自动禁用
在进入自刷新，并且在退出自刷新自动启用。任何时候，只要DLL被启用
DLL复位必须遵循和应该发生200个时钟周期可以发出读命令。输入信号
除CKE是在自刷新“不关心” 。由于CKE是SSTL2输入， VREF必须在保持
自刷新。
用于退出自刷新的过程需要一个命令序列。首先，对照必须稳定之前CKE
回到高。当CKE为高电平时， DDR SDRAM必须发出TSNR NOP命令，因为时间是
需要完成正在进行的任何内部刷新。一个简单的算法，以满足双方的刷新和DLL
要求是在应用任何其他命令之前申请的NOP为200个时钟周期。
使用自刷新模式中介绍的可能性，即一个内部定时事件可以当CKE是错过
提出用于从自刷新模式中退出。当从退出自刷新一个额外的自动刷新命令的建议。
t0
t1
t2
t3
t4
t5
t6
tm
tn
TCK
总胆固醇TCL
/ CK
CK
激进党*
1
≥
TSNR *
3
TIS
CKE
TIS
≥
tSRD *
2
TIS TIH
命令
自
NOP
NOP
NOP
有效
注：1.设备必须在之前进入自刷新模式中的“所有银行空闲”状态。
2. tSRD施加用于读出或用autoprecharge命令的读出。
3. TSNR被应用于任何命令以外读或与autoprecharge命令的读出。
自刷新
数据表E1202E20 （2.0 ）
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