EDD1232ACBH
t0
CK
/ CK
t0.5
t1
t1.5
t2
t2.5
t3
t3.5
t4
t4.5
t5
t5.5
命令
读
tRPRE
NOP
tRPST
VTT
的DQ
CL = 3
TAC ， tDQSCK
DQ
out0
out1
out2
out3
VTT
读操作（ / CAS延迟）
写操作
脉冲串长度（ BL）以及将模式寄存器的脉冲串类型（BT ）被称为发一个写命令时。
脉冲串长度（ BL），确定由写命令顺序的输入数据可以被设置为2， 4的长度，
或8从写命令到数据输入端的延迟时间被固定为1的突发写入的起始地址被定义
由列地址，这是通过将A 0加载至A11区选择地址BA0至BA1引脚在循环
当发出写命令。 DQS应在输入作为选通输入数据和DM以及
突发操作。 tWPREH之前的DQS的第一个上升沿应在最后被设置为低和tWPST
数据选通信号的下降沿可以被设置为高阻抗。 DQS的领先的低周期称为写序言。
DQS的最后一个低谷期被称为写后同步。
t0
CK
/ CK
命令
NOP
法案
ROW
tRCDWR
t1
t4
t4.5
t5
t6
t7
t8
t9
NOP
写
COLUMN
NOP
地址
tWPREH
tWPRES
BL = 2
的DQ
DQ
in0
in1
tWPST
BL = 4
in0
in1
in2
in3
BL = 8
in0
in1
in2
in3
in4
in5
in6
in7
BL ：突发长度
写操作
数据表E1202E20 （2.0 ）
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