CY8C20110/CY8C20180/CY8C20160
CY8C20140/CY8C20142
电气规格
绝对最大额定值
参数
T
英镑
描述
储存温度
民
–55
典型值
25
最大
+100
单位
°C
笔记
较高的贮存温度降低数据
保留时间。推荐的存储
温度为+ 25℃± 25 ℃（ 0 ℃50 ℃）。
存放温度长期保持
65℃以上会降低可靠性
T
A
V
DD
V
IO
V
IOZ
I
MIO
ESD
LU
环境温度与功耗
应用的
在V电源电压
DD
相对于V
SS
直流输入电压
直流电压适用于三态
最大电流到任何GPIO引脚
静电放电电压
闩锁电流
–40
–0.5
V
SS
– 0.5
V
SS
– 0.5
–25
2000
–
–
–
–
–
–
–
–
+85
+6.0
V
DD
+ 0.5
V
DD
+ 0.5
+50
–
200
°C
V
V
V
mA
V
mA
人体模型ESD
工作温度
参数
T
A
T
J
描述
环境温度
结温
民
–40
–40
典型值
–
–
最大
+85
+100
单位
°C
°C
笔记
DC电气特性
DC芯片级规范
参数
V
DD
I
DD
ISB
ISB
ISB
描述
电源电压
电源电流
深度睡眠模式电流与POR
和LVD活跃
深度睡眠模式电流与POR
和LVD活跃
深度睡眠模式电流与POR
和LVD活跃
民
2.40
–
–
–
–
典型值
–
1.5
2.6
2.8
5.2
最大
5.25
2.5
4
5
6.4
单位
V
mA
A
A
A
条件是V
DD
= 3.10V ，T
A
= 25°C
VDD = 2.55V ， 0 ℃， < TA < 40℃
VDD = 3.3V ， -40°C < TA < 85°C
VDD = 5.25V ， -40°C < TA < 85°C
笔记
5V和3.3V DC通用I / O规格
该表列出了最大和最小规格为电压和温度范围： 4.75V至5.25V和
-40 ° C<TA<85 ℃， 3.10V至3.6V -40 ° C<TA<85 ℃。典型参数适用于5V和3.3V在25℃ ，并仅作为设计参考。
参数
VOH1
VOH2
VOH3
VOH4
描述
对P0口输出高电压
对P0口输出高电压
在P1口的高输出电压
在P1口的高输出电压
民
VDD - 0.2
VDD - 0.9
VDD - 0.2
VDD - 0.9
典型值
–
–
–
–
最大
–
–
–
–
单位
V
V
V
V
笔记
IOH < 10 μA ， VDD > 3.10V ，最大
20毫安源电流的所有I / O 。
IOH = 1 mA时， VDD > 3.10V ，最大
20毫安源电流的所有I / O 。
IOH < 10 μA ， VDD > 3.10V ，最大
20毫安源电流的所有I / O 。
IOH = 5毫安， VDD > 3.10V ，最大
20毫安源电流的所有I / O 。
文件编号： 001-54606修订版**
第21页29
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