BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻，结到
环境
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.16
0.1
25
750
最大
1.35
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
断态电压
FF-态电流
通态电压
通态电流
浪涌（非重复） ，通态
当前
触发电流温度。梯度
抑制电压的温度。梯度
断态电流抑制状态
保持电流
闭锁电流
零交叉禁止电压
开启时间
打开-O FF时间
崛起的断态临界速率
电压
上升电压的临界速度
电流换向
V
T
= 2.2 V
I
F
=额定我
FT
V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 80 °C
对国家崛起的临界速度
热阻，结到
环境
I
F
= I
FT1
, V
DRM
测试条件
I
D（ RMS）
= 70
A
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C,
I
F
= 0毫安
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
符号
V
D（ RMS）
V
DRM
I
D（ RMS）
V
TM
I
TM
I
TSM
I
FT1
/T
j
I
FT2
/T
j
V
DINH
/T
j
I
DINH
I
H
I
L
V
IH
t
on
t
关闭
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJA
10000
5000
10000
5000
8.0
125
7.0
7.0
-20
50
65
5.0
15
35
50
25
200
500
民
424
600
10
1.7
100
3.0
300
3.0
14
14
典型值。
460
最大
单位
V
V
A
V
mA
A
μA / K
μA / K
毫伏/ K
A
A
mA
V
s
s
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
K / W
重复峰值断态电压I
DRM
= 100
A
文档编号83690
修订版1.4 10 -JAN- 05
www.vishay.com
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