BRT21/BRT22/BRT23
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
爬电距离
间隙距离
标准DIP - 6
标准DIP - 6
400万DIP - 6
400万DIP - 6
7
7
8
8
CTI
175
6000
630
200
400
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
40/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于仅在安全评级"safe电气insulation" 。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
功率因数注意事项
消除虚假操作的缓冲是没有必要
因为高的静态和换向可控硅驱动
的dV / dt为1.0和0.8的功率因数之间的负载。当
感性负载与功率因子小于0.8的正
驱动，包括RC缓冲或直接单个电容器
跨器件受潮峰值整流的dV / dt
秒杀。通常，换向dv / dt会一关断
器件留在由于所储存的能量保留在
关断器件。
但在零电压交叉optotriac的情况下，该
换向dv / dt的峰值能抑制一半的TRIAC
从开启。如果尖峰电位超过抑制
电压的过零检测电路的，半双向晶闸管的
将heldoff不导通。这种拖延病情可
通过使用缓冲或电容器直接放置消除
横跨optotriac如图1。注意，该值
的电容器随着负载电流的函数。
在保持关闭状态还可以通过提供一种可以消除
更高级别的LED驱动电流。较高的LED驱动器
提供了一个较大的光电流引起的
光电晶体管来接通之前的换向尖峰具有
活化的零交叉网络。图2示出了
所述LED驱动器为小于功率因数的关系
1.0 。该曲线表明，如果一个设备需要1.5毫安一
阻性负载，那么1.8倍2.7毫安），这一数额将是
控制感性负载的功率因数要求
小于0.3 。
1
C
s
（ μF ） = 0.0032 （ μF ） * 10 ^ 0.0066我
L
（MA ）
C
s
- 并联电容（ μF ）
0.1
0.01
TA = 25°C ， PF = 0.3
IF = 2.0毫安
0.001
0
iil410_01
50
100 150 200 250 300 350 400
I
L
- 负载电流（mA ） （ RMS）
图。 1 - 并联电容与负载电流
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文档编号： 83690
修订版1.5 ， 07- 08年5月
