位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第0页 > HMT31GR7AFR8C-H9 > HMT31GR7AFR8C-H9 PDF资料 > HMT31GR7AFR8C-H9 PDF资料1第12页
功能框图
A [ N： O]一
/ BA [N ： O]一
A [ N： O] B
/ BA [N ： O] B
ZQ
2GB ， 256Mx72模块（ X8的1Rank ）
RODT0A
RS0B
RRASB
RS0A
RRASA
RODT0B
ODT
ODT
PCK0A
RCKE0A
PCK0B
RCKE0B
CK
CKE
CK
CKE
RCASA
RCASB
PCK0A
PCK0B
RWEA
RWEb
A [ N： O] / BA [N ： O]
D8
ODT
CK
CKE
WE
CK
D4
WE
CK
A [ 0：N ] / BA [N ： O]
D3
ODT
CK
CKE
WE
CK
D5
WE
CK
RAS
CAS
CS
A [ 0：N ] / BA [N ： O]
D2
ODT
CK
CKE
WE
CK
D6
ODT
CK
CKE
WE
CK
RAS
CAS
CS
A [ N： O] / BA [N ： O]
D1
ODT
CK
CKE
WE
CK
D7
ODT
CK
CKE
WE
CK
A [ N： O] / BA [N ： O]
DQS1
DQS1
DM1/DQS10
DQS10
DQ [15：8 ]
的DQ
的DQ
tDQS
tDQS
DQ [7：0 ]
RAS
CAS
CS
ZQ
DQS7
DQS7
DM7/DQS16
DQS16
DQ [ 63:56 ]
的DQ
的DQ
tDQS
tDQS
DQ [7：0 ]
RAS
CAS
CS
A [ 0：N ] / BA [N ： O]
ZQ
DQS2
DQS2
DM2/DQS11
DQS11
DQ [ 23:16]
的DQ
的DQ
tDQS
tDQS
DQ [7：0 ]
ZQ
DQS6
DQS6
DM6/DQS15
DQS15
DQ [ 55:48 ]
的DQ
的DQ
tDQS
tDQS
DQ [7：0 ]
RAS
CAS
CS
A [ 0：N ] / BA [N ： O]
ZQ
DQS3
DQS3
DM3/DQS12
DQS12
DQ [ 31:24]
的DQ
的DQ
tDQS
tDQS
DQ [7：0 ]
ZQ
DQS5
DQS5
DM5/DQS14
DQS14
DQ [ 47:40 ]
的DQ
的DQ
tDQS
tDQS
DQ [7：0 ]
RAS
CAS
CS
A [ 0：N ] / BA [ 0：N ]
ZQ
DQS8
DQS8
DM8/DQS17
DQS17
CB [7：0 ]
的DQ
的DQ
tDQS
tDQS
DQ [7：0 ]
RAS
CAS
CS
ZQ
DQS4
DQS4
DM4/DQS13
DQS13
DQ [ 39:32 ]
的DQ
的DQ
tDQS
tDQS
DQ [7：0 ]
RAS
CAS
CS
V
DDSPD
V
DD
V
TT
VREFCA
VREFDQ
V
SS
SPD
D0–D8
D0–D8
D0–D8
D0–D8
D0
ODT
CK
CKE
WE
CK
A [ N： O] / BA [N ： O]
DQS0
DQS0
DM0/DQS9
DQS9
DQ [7：0 ]
的DQ
的DQ
tDQS
tDQS
DQ [7：0 ]
RAS
CAS
CS
ZQ
VTT
注意：
1.DQ到I / O接线可字节内改变。
2.ZQ电阻
240
±
。对于所有其他电阻值的1％参考
相应的接线图。
VTT
S0
S1
BA [N ： 0 ]
A [ N： 0 ]
RAS
CAS
WE
CKE0
ODT0
CK0
CK0
CK0
CK0
Par_In
120
±
1%
120
±
1%
1:
2
R
E
G
I
S
T
E
R
/
P
L
L
OERR
RST
RS0A
→
CS0： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RS0B
→
CS0 ： SDRAM的D [ 7 ： 4 ]
RBA [N ： 0 ]答
→
BA [N ：0]： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RBA [N ： 0 ]答
→
BA [N ：0]： SDRAM的D [ 7：4]
RA [N ： 0 ]答
→
A [ N： 0] ： SDRAM的D [ 3 ： 0 ] ， D8
RA [N ： 0 ]答
→
A [ N： 0] ： SDRAM的D [ 7 ： 4 ]
RRASA
→
RAS ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RRASA
→
RAS ： SDRAM的D [ 7：4]
RCASA
→
CAS号： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RCASA
→
CAS号： SDRAM的D [ 7：4]
RWEA
→
WE： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RWEA
→
WE： SDRAM的D [ 7：4]
RCKE0A
→
CKE0 ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RCKE0B
→
CKE0 ： SDRAM的D [ 7：4]
RODT0A
→
ODT0 ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RODT0B
→
ODT0 ： SDRAM的D [ 7：4]
PCK0A
→
CK ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
PCK0B
→
CK ： SDRAM的D [ 7：4]
PCK0A
→
CK ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
PCK0B
→
CK ： SDRAM的D [ 7：4]
Err_Out
VDDSPD
EVENT
SCL
SDA
VDDSPD
SA0
SA0
SA1
SA2
VSS
EVENT
SPD与
SA1
集成
SA2
SCL
TS
VSS
SDA
计划使用SPD与集成TS B类和
对客户的请求可能会被改变。欲了解更多
SPD及温度传感器的详细信息，请联系
当地的海力士的销售代表
RST ： SDRAM的D [ 8：0]
S [ 3：2] ， CKE1 ， ODT1 ，是NC（未使用的寄存器的输入端ODT1和CKE1具有330Ω
接地电阻
RESET
修订版1.2 / 2009年12月
12
