EDD1216AJTA
在DDR SDRAM中运行
上电顺序
（ 1 ）接通电源并保持CKE处于LVCMOS低状态（所有其他投入是不确定的） 。
之前或同时为VDDQ施加VDD 。
之前或同时为VTT和VREF应用VDDQ 。
（ 2）启动时钟和保持稳定的条件至少200微秒。
（ 3 ）最小为200μs稳定的电源和时钟（ CK ， / CK ）后，申请NOP走CKE高。
（ 4 ）发行预充电的设备的所有命令。
（ 5 ）发行EMRS使DLL。
（ 6 ）发行模式寄存器设置命令（ MRS）的"DLL reset"有位A8为高（增加200周期
时钟输入需要锁定每个DLL复位后的DLL） 。
（ 7 ）发行预充电的设备的所有命令。
（8）第2期或多个自动刷新命令。
（ 9 ）发行模式寄存器设置命令初始化位A8一套设备操作到低分，以避免重置
该DLL 。
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
CK
/ CK
命令
PALL
EMRS
太太
PALL
REF
REF
t
RP
t
RFC
REF
t
RFC
太太
任何
命令
2个周期（分钟）
2个周期（分钟）
2个周期（分钟）
DLL与A8 =高复位
2个周期（分钟）
DLL使能
禁用DLL复位与A8 =低
200个周期（分钟）
上电顺序后， CKE变高
数据表E0972E30 （版本3.0 ）
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