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SCLT3-8BT8
应用注意事项
3.1.1
接口通过optotransistors SPI部分的I / O控制器
图18.光耦合器双SCLT电路和他们的主人之间的连接
总线控制器
V
DD1
5V.REG
100nF
SCK
330W
V
DD1
C
CK
SCK
R
CK
以LED
/ CS
330W
ACPL-K73L
SCLT3 - 8
MISO
330W
330W
SPI主
调节器
V
DD2
V
DD2
100nF
R
MI
COM
S
330W
MISO
V
OUT
ACPL-W70L
C
MI
SPI数据输出
LED
ON
关闭
V
OUT
高
低
F
CK
< 1MHz的
R
CK
, R
CS
, R
MI
220Ω
220
C
CK
, C
CS
, C
MI
470pF
3.2
带磁性隔离器高速运转
图19.连接SCLT的有磁性或电容性耦合器，用于报警
活性在较低水平
V
DD1
MISO
报警=低
SPI
V
DD1
/ MISO
V
DD1
V
DD2
V
DD2
MISO
V
DD2
SCLT
隔离器
SPI主
磁性隔离器适用于更高的工作频率， 1 MHz以上，因
其较低的电流消耗。
但它们的主要电源损耗导致高的状态，输出是不兼容
报警策略，活跃在低电平状态与SCLT 。为了克服此问题， 2反相
逻辑缓冲区可以在SPI硬件链来实现。该ASIC也将检测
主电源损耗低的状态。该SCLT设计同时提供MISO和/ MISO
为了简化这个硬件环境如图上
图19 。
文档ID 15191牧师3
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