LT5571
应用信息
表3. LO端口输入阻抗随频率为EN =低
和P
LO
=为0dBm
频率
（兆赫）
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
输入阻抗
(Ω)
35.6 + j42.1
65.5 + j70.1
163 + j76.3
188 – j95.2
72.9 – j114
34.3 – j83.5
21.6 – j63.3
16.4 – j50.5
S
11
MAG
0.467
0.531
0.602
0.654
0.692
0.715
0.726
0.727
角
83
46
14
–13
–36
–56
–73
–86
对于EN =低了S
22
列于表6 。
表6. RF端口输出阻抗与频率为EN =低
频率
（兆赫）
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
输出阻抗
(Ω)
21.5 + j5.0
26.9 + j11.8
36.5 + j16.0
48.8 + j11.2
52.8 – j2.2
46.6 – j11.5
39.7 – j13.9
35.0 – j13.0
S
22
MAG
0.403
0.333
0.239
0.113
0.035
0.123
0.191
0.232
角
166
144
120
89
–38
–99
–117
–130
RF部分
后向上转换， I和Q混频器的RF输出，是
相结合。片上平衡不平衡转换器进行内部差异
以单端输出转换，同时改造
输出信号阻抗50Ω 。表4示出射频
端口输出阻抗与频率。
表4. RF端口输出阻抗与频率为EN =高
和P
LO
=为0dBm
频率
（兆赫）
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
输出阻抗
(Ω)
22.2 + j5.2
28.4 + j11.7
38.8 + j14.3
49.4 + j6.8
49.4 – j5.8
42.7 – j11.7
36.9 – j12.6
33.2 – j11.3
S
22
MAG
0.390
0.311
0.202
0.068
0.058
0.149
0.207
0.241
角
165
143
119
91
–92
–115
–128
–138
为了提高S
22
对于较低频率，串联电容器
可以被添加到RF输出。在较高频率下，一个
分流电感可提高S
22
。图5示出了
RF输出的等效电路示意图。
需要注意的是在ESD二极管是从内部连接
RF输出到地面。对于强大的输出射频信号电平
（比3dBm的更高）这个ESD二极管可能会降低线性
如果earity性能外部50Ω端接阻抗
ANCE被直接连接到接地。为了防止这种情况，一
耦合电容器可以被插入在RF输出线。
这在1dB压缩强烈推荐
测量。
V
CC
21pF
RF
产量
47
1pF
7nH
5571 F05
在RF输出S
22
在不加LO功率是由于在
表5 。
表5. RF端口输出阻抗与频率为EN =高
并没有LO功率的应用
频率
（兆赫）
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
输出阻抗
(Ω)
22.9 + j5.3
30.0 + j11.2
40.6 + j11.2
47.3 + j1.9
44.2 – j7.4
38.4 – j10.4
34.2 – j10.2
31.7 – j8.7
S
22
MAG
0.377
0.283
0.160
0.034
0.099
0.175
0.221
0.246
角
165
143
123
145
–123
–131
–140
–148
RF输出图5.等效电路图
启用接口
图6示出了EN引脚之间的一个简化的示意性
脸上。打开LT5571所需的电压为1V 。
要禁用（关闭）的芯片，使电压必须
低于0.5V 。如果EN引脚未连接，该芯片是
禁用。这EN =低的条件是保证
75KΩ上拉下拉电阻。
重要的是，在EN管脚上的电压不
超过V
CC
超过0.5V 。如果这种情况发生，则
5571f
11
