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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDT61
BDT61A
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
BDT61B
BDT61C
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
BDT61
BDT61A
BDT61B
I
C
= 1.5A ;我
B
= 6毫安
I
C
= 1.5A ; V
CE
= 3V
V
CB
= 60V ;我
E
= 0
V
CB
= 30V ;我
E
= 0; T
J
=150℃
V
CB
= 80V ;我
E
= 0
V
CB
= 40V ;我
E
= 0; T
J
=150℃
V
CB
= 100V ;我
E
= 0
V
CB
= 50V ;我
E
= 0; T
J
=150℃
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
V
CB
= 60V ;我
E
= 0; T
J
=150℃
B
BDT61/A/B/C
条件
60
80
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
100
120
2.5
2.5
V
V
I
CBO
集热器
截止目前
I
首席执行官
集热器
截止目前
w
se
sc
.i
w
w
BDT61C
BDT61
V
CE
= 30V ;我
B
= 0
V
CE
= 40V ;我
B
= 0
B
.CN
i
m
0.2
2.0
0.2
2.0
0.2
2.0
0.2
2.0
0.5
0.5
mA
0.5
0.5
5
mA
mA
BDT61A
BDT61B
V
CE
= 50V ;我
B
= 0
B
BDT61C
I
EBO
h
FE
V
ECF
发射Cuto FF电流
直流电流增益
C- ê二极管正向电压
V
CE
= 60V ;我
B
= 0
B
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
C
= 1.5A ; V
CE
= 3V
I
E
= 1.5A
750
2.0
V
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
1.0
4.5
μs
μs
I
C
= 2A ;我
B1
= -I
B2
= 8毫安;
V
BE (OFF)的
= -5V ;
L
= 20Ω
ISC的网站: www.iscsemi.cn
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