SMD型
FZT688B
电气特性TA = 25
参数
击穿电压
击穿电压
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=100ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=10V
V
EB
=4V
Testconditons
民
12
12
5
典型值
晶体管
最大
单位
V
V
V
0.1
0.1
0.04
0.06
0.18
0.35
0.40
1.1
1.0
500
400
100
150
200
40
40
500
ìA
ìA
集电极 - 发射极饱和电压*
I
C
= 0.1A ，我
B
=1mA
I
C
= 0.1A ，我
B
=0.5mA
V
CE（
SAT ）I
C
= 1A ，我
B
=50mA
I
C
= 3A ，我
B
=20mA
I
C
= 4A ，我
B
=50mA
V
BE （
SAT ）I
C
= 3A ，我
B
=20mA
V
BE （上
) I
C
= 3A ，V
CE
=2V
h
FE
f
T
C
IBO
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
I
C
= 0.1A ，V
CE
=2V
I
C
= 3A ，V
CE
=2V
I
C
= 10A ，V
CE
=2V
I
C
= 50mA时V
CE
= 5V F = 50MHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 500毫安，V
CC
=10V
I
B1
=50A,I
B2
=50mA
V
基射极饱和电压*
基射极导通电压*
静态正向电流传输比*
过渡频率
输入电容
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
V
V
兆赫
pF
pF
ns
ns
记号
记号
FZT688B
2
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