图4-3 。
片上数据SRAM访问周期
T1
T2
T3
CLK
中央处理器
地址
数据
WR
数据
RD
计算地址
地址有效
存储器访问指令
下一条指令
4.3
EEPROM数据存储器
ATmega16的/ 32 /64 / M1 / C1包含512/1024/2048字节的数据EEPROM存储器。这是
作为一个独立的数据空间，其中，可以按字节读写。该
EEPROM至少100,000次写/擦除周期的耐力。之间的访问
EEPROM中，并且CPU在下面被描述，指定EEPROM地址寄存
TER值， EEPROM数据寄存器和EEPROM控制寄存器。
对于SPI和并行数据下载到EEPROM中的详细描述，请参见
●串行
313页下载“
和
“并行编程参数，引脚映射和COM的
mands “ 301页
分别。
4.3.1
EEPROM读/写访问
EEPROM的访问寄存器位于I / O空间。
EEPROM的写访问时间见
表4-2 。
自定时功能，但是，
可以让用户软件监测何时开始下一个字节可以被写入。如果用户代码包含指令
系统蒸发散的写EEPROM ，有些必须采取预防措施。在严格的滤波电源
耗材，V
CC
有可能上升或下降缓慢上电/下。这使得该设备对于一些
的时间周期，以在电压低于规定的最小为所用的时钟频率运行。
见27.for页上的“防止EEPROM腐败”
如何避免这些问题的细节
的情况。
为了防止无意识的EEPROM写操作，具体写的程序必须遵循。
指的是EEPROM控制寄存器有关细节的描述。
当EEPROM被读取后， CPU停止工作4个周期前的下一条指令
执行。当EEPROM写入时，CPU先下一停止两个时钟周期
指令被执行。
22
ATmega16/32/64/M1/C1
7647F–AVR–04/09
读
写
