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M41T82-M41T83
图25.我
CC2
与温度的关系
10.000
DC和AC参数
9.000
8.000
7.000
ICC2 ( μA )
(3.0V)
(5.0V)
6.000
5.000
4.000
3.000
2.000
-40
-20
0
20
温度(℃)
40
60
80
ai
13909
表23 。
符号
f
O
R
S
C
L
水晶电气特性
参数
(1)(2)
谐振频率
串联电阻
负载电容
12.5
典型值
32.768
65
(3)
最大
单位
千赫
pF
如果采用QFN16或SO8封装1.外部供电。意法半导体公司建议市民CFS-
145 (1.5 ×5毫米)和KDS的DT- 38(3 ×8毫米),用于通孔,或KDS的DMX -26S (3.2 ×8毫米)或微
水晶MS3V - T1R ( 1.5 ×5毫米),用于表面贴装,音叉型石英晶体。对于接触
信息,请参阅
第8节:第59页上的引用。
2.负载电容的M41T8x内集成。电路板布局考虑为32.768千赫
最小的走线长度和隔离射频信号生成结晶,应考虑在内。
3.通过设计保证。
表24中。
符号
V
STA
t
STA
C
十一,
C
XO(1)
振荡器特性
参数
(1)(2)
振荡器起振电压
振荡器启动时间
输入电容,输出电容
IC对IC频率变化
(2)(3)
–10
条件
4s
V
CC
= V
SO
25
+10
2.0
1
典型值
最大
单位
V
s
pF
PPM
1.默认模拟校准值(= 0)
2.参考价值
3. T
A
= 25 ° C,V
CC
= 5.0 V
文档ID 12578牧师12
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