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NX26F011A
NX26F041A
NX26F011A或
NX26F041A
U0
NX26F011A或
NX26F041A
U1
1
0
0
0
A0
A1
A2
A3
0
1
0
0
NX26F011A或
NX26F041A
U2
A0
A1
A2
A3
1
1
0
0
NX26F011A或
NX26F041A
U3
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
微控制器/微处理器
DSP或ASIC
0
0
0
0
A0
A1
A2
A3
....
SCK
SIO
0
0
0
1
A0
A1
A2
A3
NX26F011A或
NX26F041A
U8
1
0
0
1
A0
A1
A2
A3
NX26F011A或
NX26F041A
U9
0
1
0
1
A0
A1
A2
A3
NX26F011A或
NX26F041A
U10
1
1
0
1
A0
A1
A2
A3
NX26F011A或
NX26F041A
U11
....
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图2. NX26F011A或NX26F041A高达16设备上的2线NSX用在多设备配置与
功能概述
NexFlash
NX26F011A和NX26F041A提供高达
1M -bit或4M位的非易失性存储器组织为512
264字节( 4288比特)每个(图或2048小行业
3)。每个部门独立寻址的基本使用
指令序列和控制功能的连通
通过设备2线NXS接口。
读取和擦除/写指令序列
该NX26F011A和NX26F041A有两个基本指令
序列化:读取和擦除/写。与其他一些
闪存技术的擦除和写入操作
NX26F011A和NX26F041A一起执行中
一个单一的操作(每扇区一样快5毫秒)。因此,
预擦除的存储器是没有必要的。
读取和擦除/写指令的组成
系列串行比特字段,包括指挥,部门
地址,设备地址和扇区数据。在读
指令序列还允许设备进行轮询以
Ready / Busy状态。
0扇区( 0000H )
2112位( 264字节),每个扇区
1区( 0001H )
部门2 ( 0002H )
行业3-2045 / 4093
(0003-1FD/7FD)
部门二千○四十六分之五百十( 1FE / 1FE )
部门二千零四十七分之五百十一( 1FF / 7FF )
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图3. NX26F011A和NX26F041A阵列
3
NexFlash技术公司
初步
NXSF009A-0599
05/05/99

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