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4 0 M X中的N D 4 2M的X F PG A F A M IL即s
第一幕已经P奥尔 OM PO新界东北
其中：
=逻辑模块的数目在开关频率f
m
=输入数量的缓冲区在频率f开关
n
=输出缓冲器的数量的开关频率f处
p
=时钟负载的第一个路由阵列数
时钟
q
2
=时钟负载的第二路由阵列数
时钟
r
1
= lFixed电容，由于第一路由阵列时钟
r
2
=固定电容，由于第二路由阵列
时钟
C
EQM
=逻辑模块pF的等效电容
C
EQI
=输入缓冲器的pF的等效电容
C
EQO
=输出缓冲器的pF的等效电容
C
EQCR
=以pF路由阵列时钟的等效电容
C
L
=输出负载P电容
f
m
=平均逻辑模块以MHz开关频率
f
n
=以MHz为单位的平均输入缓冲器开关速度
f
p
=平均输出缓冲器开关以MHz速率
f
q1
=平均第一路由阵列时钟频率以MHz为单位
f
q2
=平均第二路由阵列时钟速率以MHz为单位
固定编卡帕CIT ANC è V ES ALU
对于M X F PG作为（PF ）
在CMOS器件的功耗通常是由占主导地位
活动（动态）的功耗。此组件是
频率相关的，并且逻辑的函数，并且该
外部I / O 。从充电有功功率损耗结果
内部芯片电容的互连，
未编程反熔丝，模块输入和模块
输出，加上外接电容，由于PCB走线
和负载设备的投入。的一个附加组件
有功功率损耗是在图腾柱的电流
CMOS晶体管对。其净效应可以关联
用等效的电容是可以结合
频率和电压来表示有源功率耗散。
quiv人耳鼻喉科 APAC它ANCE
m
n
p
q
1
通过CMOS电路消耗的功率可以表示为
公式：
功率（ μW ） = C
EQ
* V
CCA2
* F
其中：
C
EQ
=等效电容体现在皮法
（PF ）
=开关频率在兆赫（MHz ）
(1)
V
CCA
=电源以伏特（V）的
F
等效电容是通过测量计算
I
CC
活性以指定的频率和电压的每个
感兴趣的电路元件。测量过
在一个固定值来进行频率范围内的
V
CC
.
等效电容是与频率无关的，所以
结果可用于在宽范围的操作的
条件。等效电容值如下所示。
C
ê Q
VALU ES F或a CT EL MX FP摹A S
设备类型
A40MX02
A40MX04
r
1
routed_Clk1
41.4
68.6
118
165
185
220
r
2
routed_Clk2
不适用
不适用
118
165
185
220
模块（C
EQM
)
输入缓冲器（C
EQI
)
输出缓冲器（C
EQO
)
路由阵列时钟缓冲器载荷（C
EQCR
)
3.5
6.9
18.2
1.4
A42MX09
A42MX16
A42MX24
A42MX36
为了计算有功功率从完全消散
设计中，逻辑的各部分的开关频率
必须是已知的。下面的等式示出了分段
对所有组件的线性求和。
功率= V
CCA2
* [ （M X
C
EQM
* f
m
)
模块
+
(n *
C
EQI
* f
n
)
输入
+ (p * (
C
EQO
+ C
L
) * f
p
)
输出
+
0.5 * (q
1
*
C
EQCR
* f
q1
)
routed_Clk1
+ (r
1
* f
q1
)
routed_Clk1
+
0.5 * (q
2
*
C
EQCR
* f
q2
)
routed_Clk2
+ (r
2
* f
q2
)
routed_Clk2
(2)
v5.0
19
