ATA5749
10.电气特性（续）
V
S
= 1.9V至3.6V牛逼
AMB
= -40 ° C至+ 125°C ， CLK_ON = “高” ; DIV_CNTRL = “低” ， CLOAD_CLK = 10pF的。 F
XTO
= 13.0000MHz ，
f
CLK
= 1.625MHz ，除非另有规定。如果晶体参数是很重要的值对应于用C水晶
M
= 4.0fF,
C
0
=取1.5pF ，C
负载
= 9pF和R
M
≤
170Ω 。典型值在V给出
S
= 3.0V和T
AMB
= 25°C
号参数
FSK调制
频率
测试条件
调制占空比
信号= 50 ％ ， （这对应
到40kBit / s的曼彻斯特编码
和80kBit / s的NRZ编码）
调制占空比
信号= 50 ％ ， （这对应
到40kBit / s的曼彻斯特编码
和80kBit / s的NRZ编码）
在f
RF
±f
XTO
/ 8
在f
RF
±f
XTO
/ 4
在f
RF
±f
XTO
DIV_CNTRL = “高”
在f
RF
± f
XTO
/ 4
在f
RF
± f
XTO
CLK_ON = “低”
在f
0
± f
XTO
ASK_NFSK = “高”
TX_Mode_2
FREQ [ 0:14 ] = 3730 ，
FSEP [0：7 ] = 101
S434_N315 = “低”
f
RF
±3.00MHz
f
RF
±6.00MHz
FREQ [ 0:14 ] = 14342 ，
FSEP [0：7 ] = 101
S434_N315 = “ HIGH ”
f
RF
±3.159MHz
f
RF
± 9.840MHz
f
XTO
= 13.0000MHz
其它F
XTO
SEE
表3-1第4页
针
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
类型*
4.6
2, 5
F
MOD_FSK
0
40
千赫
B
4.7
ASK调制
频率
2, 5
F
MOD_ASK
0
40
千赫
B
4.8
杂散发射
5
带动
–47
–47
–60
–47
–58
–60
dBc的
B
4.9
杂散发射
5
带动
dBc的
B
4.10杂散发射
5
带动
dBc的
B
4.11分数杂散
5
带动
–50
–50
dBc的
B
–50
–50
±0.396
5
f
开发
f
XTO
/
32768
793
±101.16
f
XTO
/
128.5
Hz
A
千赫
A
4.12
FSK频率
偏差
4.13频率分辨率
f
XTO
= 13.0000MHz
其它F
XTO
Δf
PLL
f
XTO
/
16384
* ）类型是指： A = 100 ％测试， B = 100 ％相关测试，C =特点的样本， D =设计参数
注意：
（引脚数）括号意味着他们测得的一致，根据到50Ω
图4-2第8页
与元件值
并根据最佳负载阻抗
表4-1
和
表4-2第9页
21
9128E–RKE–09/10
