11.时序特性（ ATA5749 ）
V
S
= 1.9V至3.6V ，T
AMB
= -40 ° C至+ 125°C 。典型值在V给出
S
= 3.0V和T
AMB
= 25°C 。所有参数被称为接地
（ 9脚） 。其中，晶体相关参数是用C晶体的重要参数对应
M
= 4.0 fF的，C
0
= 1.5 pF的，C
负载
= 9 pF的
和R
M
≤
170Ω ，除非另有规定。
号参数
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
EN建立时间上升
SCK边缘
SDIN_TXDIN建立时间
为EN的下降沿
SDIN_TXDIN建立时间
以SCK的上升沿
SDIN_TXDIN保持时间
从SCK的上升沿
SCK周期时间
SCK高的时间段
SCK低的时间段
EN低时间周期
SDIN_TXDIN = “高”了
寄存器复位
时钟输出频率
（ CMOS微控制器
兼容）
f
XTO
= 13.000兆赫
DIV_CNTRL = “高”
(f
CLK
= f
XTO
/ 4)
DIV_CNTRL = “低”
(f
CLK
= f
XTO
/ 8)
CLOAD
≤
20 pF的，
DIV_CNTRL = “低”
(f
CLK
= f
XTO
/ 8)
“高” = 0.8
×
V
S
,
“低” = 0.2
×
V
S
,
f
CLK
< 1.625兆赫
CLOAD
≤
10 pF的，
DIV_CNTRL = “高”
(f
CLK
= f
XTO
/ 4)
“高” = 0.8
×
V
S
,
“低” = 0.2
×
V
S
,
f
CLK
< 3.25兆赫
CLOAD
≤
20 pF的，
DIV_CNTRL = “低”
(f
CLK
= f
XTO
/ 8)
“高” = 0.8
×
V
S
,
“低” = 0.2
×
V
S
,
f
CLK
< 1.85兆赫
CLOAD
≤
10 pF的，
DIV_CNTRL = “高”
(f
CLK
= f
XTO
/ 4)
“高” = 0.8
×
V
S
,
“低” = 0.2
×
V
S
,
f
CLK
< 3.7兆赫
测试条件
针
1, 10
2, 10
2, 3
2, 3
3
3
3
2, 10
符号
T
EN_setup
T
SDIN_TXDIN
Setup
分钟。
10
125
10
10
500
200
200
10
典型值。
马克斯。
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
us
类型*
C
C
C
C
C
C
C
C
T
格局
T
HOLD
T
SCK_Cycle
T
SCK_HIGH
T
SCK_LOW
T
EN_RESET
3.25
1
f
CLK
1.625
兆赫
A
1.9
1.10
时钟输出最小
“高”和“低”的时候
1
T
CLKLH
125
220
ns
A
1.11
时钟输出最小
“高”和“低”的时候
1
T
CLKLH
62.5
110
ns
A
1.12
时钟输出最小
“高”和“低”的时候
1
T
CLKLH
125
180
ns
C
1.13
时钟输出最小
“高”和“低”的时候
1
T
CLKLH
62.6
90
ns
C
* ）类型是指： A = 100 ％测试， B = 100 ％相关测试，C =特点的样本， D =设计参数
22
ATA5749 [初步]
9128D–RKE–01/09
