TC系列案例
钽电容
（ 5 ）阻抗频率特性
100000
10000
1A105
P的情况下（2012年）
0G475
案例（ 3216 ）
1C105
案例（ 3216 ）
（6） ESR的频率特性
100
1A105
P的情况下（2012年）
0G475
案例（ 3216 ）
1C105
案例（ 3216 ）
阻抗（ Ω ）
1000
100
10
1
10
ESR（ Ω ）
1
1
100
10k
1M
100M 500M
0.1
1
100
10k
1M
100M 500M
频率（
赫兹）
频率（
赫兹）
Fig.5
Fig.6
（ 7 ）温度特性
10
CAP的120Hz
10V - 1μF P的情况下（2012年）
4V - 4.7μF的情况下（ 3216 ）
5
DF 120Hz的
10V - 1μF P的情况下（2012年）
4V - 4.7μF的情况下（ 3216 ）
6
CAP涨跌幅（％ ）
DF （ ％ ）
4
2
0
2
3
2
26
1
10
55
25
85
125
0
55
25
85
125
温度（℃）
温度（℃）
Fig.7
Fig.8
1000
LC 1WV
10V - 1μF P的情况下（2012年）
4V - 4.7μF的情况下（ 3216 ）
3
阻抗为100kHz
10V - 1μF P的情况下（2012年）
4V - 4.7μF的情况下（ 3216 ）
阻抗（ Ω ）
100
LC （
NA ）
2
10
1
0
55
25
85
125
0
55
25
85
125
温度（℃）
温度（℃）
Fig.9
Fig.10
REV.D
10/11
