SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
E
= -1mA ;我
C
=0
I
C
= -3 A;我
B
=-0.3 A
V
CB
= -120V ;我
E
=0
V
EB
= -6V ;我
C
=0
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-12V
50
民
-120
-6
2SA1671
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
-0.5
-10
-10
180
20
V
A
A
兆赫
h
FE
分类
O
50-100
P
70-140
Y
90-180
2
