INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SA1671
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;我
B
=0
-120
V
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -1mA ;我
C
=0
I
C
= -3 A;我
B
=-0.3 A
B
-6
V
集电极 - 发射极饱和电压
-0.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -120V ;我
E
=0
-10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -6V ;我
C
=0
-10
h
FE
直流电流增益
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
50
180
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-12V
20
兆赫
h
FE
分类
O
50-100
P
70-140
Y
90-180
2
