NTD4960N
超前信息
功率MOSFET
特点
30 V ， 55 A单N沟道， DPAK / IPAK
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
三种封装型式的设计灵活性
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
8.0毫瓦@ 10 V
12.7毫瓦@ 4.5 V
D
I
D
最大
55 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
推荐用于高侧（控制）
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
ID
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
11.1
8.0
1.68
8.9
6.4
1.07
55
40
35.71
137
45
55
to
+175
29.7
6
84.5
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
4
漏
YWW
49
60NG
W
A
W
A
1 2
3
单位
V
V
A
G
S
N沟道MOSFET
4
4
1
4
CASE 369AA
DPAK
（本特铅）
方式2
3
CASE 369AC
CASE 369D
3 IPAK
IPAK
（直引线） （直引线
DPAK ）
2 3
1
2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
49
60NG
4
漏
YWW
49
60NG
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 13 A
pk
中，L = 1.0毫亨，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
2
1 2 3
1 3漏
门漏源
门源
1 2 3
门漏源
Y
WW
4960N
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
本文件包含的新产品信息。规格及信息
本文如有更改，恕不另行通知。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
牧师P1
1
出版订单号：
NTD4960N/D
