TCET1100/TCET1100G
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
高Temperarure
订购信息
部分
TCET1100
TCET1101
TCET1102
TCET1103
TCET1104
TCET1105
TCET1106
TCET1107
TCET1108
TCET1109
TCET1100G
TCET1101G
TCET1102G
TCET1103G
TCET1104G
TCET1105G
TCET1106G
TCET1107G
TCET1108G
TCET1109G
记
G =引线形式10.16毫米; G不是标明阀体上
备注
点击率50 600 ％ ， DIP- 4
点击率4080％ ， DIP-4
点击率63 125 ％ ， DIP- 4
点击率100200％ ， DIP-4
CTR 160 320 ％ ， DIP- 4
点击率50150 ％ ， DIP-4
CTR 100 300 ％ ， DIP- 4
点击率80 160 ％ ， DIP- 4
CTR 130 260 ％ ， DIP- 4
CTR 200 400 ％ ， DIP- 4
点击率50 600 ％ ， DIP- 4
点击率4080％ ， DIP-4
点击率63 125 ％ ， DIP- 4
点击率100200％ ， DIP-4
CTR 160 320 ％ ， DIP- 4
点击率50150 ％ ， DIP-4
CTR 100 300 ％ ， DIP- 4
点击率80 160 ％ ， DIP- 4
CTR 130 260 ％ ， DIP- 4
CTR 200 400 ％ ， DIP- 4
绝对最大额定值
(1)
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
耦合器
隔离测试电压（有效值）
工作环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米的情况下，
≤
10 s
T = 1分
V
ISO
T
AMB
T
英镑
T
SLD
5000
- 40至+ 100
- 55至+ 125
260
V
RMS
°C
°C
°C
t
P
/T = 0.5, t
P
≤
10毫秒
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
70
7
50
100
V
V
mA
mA
t
P
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
6
60
1.5
V
mA
A
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅波资料为通孔器件（ DIP ）焊接条件。
文档编号： 83503
2.2版， 16 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
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