功能性器件操作
操作模式
外部复位源
外部复位引脚
该微控制器具有复位的能力
SMARTMOS
器件拉低
RST
引脚。
复位屏蔽寄存器（ RMR ）
TTEST
—
高温复位测试
这个读/写位仅用于测试目的。它减少
过温关断限制最终测试。复位清零
在HTRE位。
1 =低温度阈值启用。
0 =低温度阈值禁用。
HVRE
—
高电压复位使能位
注册名称及地址： RMR - 06美元
第7位
读
写
RESET
TTEST
0
6
0
5
0
4
0
3
0
2
0
1
HVRE
0
位0
HTRE
该读/写位使能高电压复位
条件。复位清除HVRE位。
1 =高电压复位功能。
0 =高电压复位无效。
HTRE
—
高温复位使能位
0
0
0
0
0
0
该读/写位使能对高温复位
条件。复位清除HTRE位。
1 =高温复位功能。
0 =高温复位无效。
串行外设接口
串行外设接口（ SPI ）创建
微控制器和之间的通信链路
908E626.
该接口由四个引脚（见
图11 ） ：
SS
- 从选择
MOSI - 主出从入
MISO - 主入从出
SPSCK - 串行时钟（最高频率4.0兆赫）
通过SPI一个完整的数据传输由2个字节。
主机发送的地址和数据，从系统的状态，
和所选择的地址的数据。
SS
读/写，地址，校验
数据（寄存器写入）
P
X
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
MOSI
读/写
A4
A3
A2
A1
A0
系统状态寄存器
数据（寄存器读）
S1
S0
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
MISO
S7
S6
S5
S4
S3
S2
SPSCK
SPSCK的上升沿
改变MISO / MOSI
产量
SPSCK的下降沿
采样MISO / MOSI
输入
从锁存器
注册地址
从锁存器
数据
图11. SPI协议
期间的非活动期
SS
时，新的数据传输是
做好准备。在下降沿
SS
线指示的开始
一个新的数据传输，并在所述低阻抗使MISO
模式。第一个有效数据移动到MISO跟涨
SPSCK边缘。
在上升沿MISO输出数据的变化
SPSCK 。在MOSI输入被采样的下降沿
SPSCK 。数据传输是唯一有效的，如果正好是16样本
时钟边缘所存在的活性相
SS
.
908E626
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
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