功能性器件操作
操作模式
写作没有影响。因此，高温下的中断
不能由于导热油的无意结算丢失。重置
清除导热油位。写入逻辑[0]到导热油没有效果。
发生 1 =高温度条件。
0 =高温度条件没有发生。
适当的过流标志的SYSSTAT注册。
SEE
图9中，
其示出了两个信号触发
OCF 。
发生 1 =高电流状态。
0 =未发生大电流状态。
HVDD_OCF
HB_OCF
LVF
—
低电压标志位
该读/写标志设置在低电压条件。明确
LVF写入逻辑[1] LVF 。如果一个低电压条件是
仍然存在，而写入逻辑[1] LVF ，写入没有
的影响。因此，低电压中断，不能因丢失
到LVF不慎结算。复位清除LVF位。
写入逻辑[0]到LVF没有效果。
发生 1 =低电压状态。
未发生0 =低电压状态。
OCF
图9.首席执行情况OCF
中断屏蔽寄存器（ IMR ）
注册名称及地址： IMR - 04美元
第7位
读
写
RESET
0
0
HVF
—
高电压标志位
该读/写标志被设置在高电压状态。
明确HVF写入逻辑[1] HVF 。如果高压
状况仍然存在，而写入逻辑[1] HVF ，所述
写作没有影响。因此，一个高电压中断
不能因输给HVF不慎结算。重置
清除HVF位。写入逻辑[0]至HVF没有效果。
发生 1 =高电压状态。
0 =高电压条件并没有发生。
6
0
0
5
LINIE
0
4
HTIE
0
3
LVIE
0
2
HVIE
0
1
OCIE
0
位0
0
0
LINIE
—
LIN线中断使能位
该读/写位使能CPU中断的LIN标志，
LINF 。复位清除LINIE位。
1 =中断从LINF标志请求启用。
0 =中断从LINF标志要求禁用。
OCF
—
过电流标志位
这个只读标志被设置在过流条件。
复位清除OCF位。要清除这个标志，写一个逻辑[ 1 ]到
908E626
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
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