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Si5908DC
Vishay Siliconix公司
新产品
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 85_C
V
DS
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 4.4 A
漏源导通电阻
a
r
DS ( ON)
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 4.1 A
V
GS
= 1.8 V,I
D
= 1.9 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V,I
D
= 4.4 A
I
S
= 0.9 A,V
GS
= 0 V
20
0.032
0.036
0.042
22
0.8
1.2
0.040
0.045
0.052
S
V
0.4
1.0
100
1
5
mA
A
V
nA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
= 0.9 A, di / dt的= 100 A / MS
N沟道
V
DD
= 10 V R
L
= 10
V,
I
D
1 ,V
= 4.5 V ,R
g
= 6
N沟道
CH
l
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,I
D
= 4.4 A
5
0.85
1
1.9
20
36
30
12
45
30
55
45
20
90
ns
7.5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300
女士,
占空比
2%,
B 。通过设计保证,不受生产测试。
典型特征( 25_C除非另有说明)
输出特性
20
V
GS
= 5通2 V
16
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
16
20
传输特性
T
C
= --55_C
25_C
12
125_C
8
12
1.5 V
8
4
1V
0
0
1
2
3
4
5
4
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
www.vishay.com
2
文档编号: 73074
S- 41641 -REV 。 A, 06- 09月04

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